APT68GA60B

Microsemi

Billede kan være repræsentation. Se specifikationer for produktdetaljer.

Produkt oversigt

Varenummer:	APT68GA60B
Producent / Mærke:	Microsemi
Produkt beskrivelse	IGBT 600V 121A 520W TO-247
Dataark:	APT68GA60B.pdf
RoHs Status	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lager tilstand	8422 pcs stock
Skib fra	Hong Kong
Forsendelsesmåde	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8422 pcs

Referencepris (i amerikanske dollars)

1 pcs: $3.60

10 pcs: $3.241

30 pcs: $2.953

120 pcs: $2.665

270 pcs: $2.449

510 pcs: $2.233

Anmodning Citat: Udfyld venligst alle obligatoriske felter med dine kontaktoplysninger. Klik på " SUBMIT RFQ " Vi kontakter dig straks via email. Eller email os:Info@infinity-electronic.com

Mål pris:(USD)
Antal:

i alt:$3.60

Giv os din målpris, hvis mængder større end dem, der vises.

Varenummer
firmanavn
Kontakt navn
E-mail
Besked

Specifikationer for APT68GA60B

Varenummer	APT68GA60B	Fabrikant	Microsemi
Beskrivelse	IGBT 600V 121A 520W TO-247	Blyfri Status / RoHS Status	Blyfri / RoHS-kompatibel
Mængde Tilgængelig	8422 pcs	Datablad	APT68GA60B.pdf
Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max)	600V	Vce (på) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 40A
Testtilstand	400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V	Td (tænd / sluk) @ 25 ° C	21ns/133ns
Skifte energi	715µJ (on), 607µJ (off)	Leverandør Device Package	TO-247 [B]
Serie	POWER MOS 8™	Strøm - Max	520W
Emballage	Tube	Pakke / tilfælde	TO-247-3
Driftstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Monteringstype	Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Blyfri Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Type	Standard	IGBT Type	PT
Gate Charge	298nC	Detaljeret beskrivelse	IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B]
Nuværende - Collector Pulsed (Icm)	202A	Nuværende - Samler (Ic) (Max)	121A

forsendelse
Efter-Salg
Dataark

★ GRATIS SHIPPING VIA DHL / FEDEX / UPS HVIS BESTEMMELSE OVER 1.000 USD.
(KUN TIL integrerede kredsløb, kredsløbsbeskyttelse, RF / IF og RFID, optoelektronik, sensorer, transducere, transformatorer, isolatorer, kontakter, relæer)

FedEx	www.FedEx.com	Fra $ 35,00 Basisforsendelsesgebyr afhænger af zone og land.
DHL	www.DHL.com	Fra $ 35,00 Basisforsendelsesgebyr afhænger af zone og land.
UPS	www.UPS.com	Fra $ 35,00 Basisforsendelsesgebyr afhænger af zone og land.
TNT	www.TNT.com	Fra $ 35,00 Basisforsendelsesgebyr afhænger af zone og land.

★ Leveringstiden skal bruge 2-4 dage til de fleste lande over hele verden ved DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Du er velkommen til at kontakte os, hvis du har spørgsmål om forsendelsen. E-mail os Info@infinity-electronic.com

AFTER SALGSGARANTI

Hvert produkt fra Infinity-Semiconductor.com har fået en garantiperiode på 1 ÅR. I denne periode kan vi tilbyde gratis teknisk vedligeholdelse, hvis der er problemer med vores produkter.
Hvis du finder kvalitetsproblemer om vores produkter efter at have modtaget dem, kan du teste dem og søge ubetinget refusion, hvis det kan bevises.
Hvis produkterne er defekte eller de ikke virker, kan du returnere til os inden for 1 ÅR, alle transport- og toldafgifter af varerne bæres af os.

Relaterede produkter

: APT6M100K; producenter: Microsemi; Beskrivelse: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220; På lager: 3390 pcs; Hent: APT6M100K.pdf; RFQ

: APT68GA60B2D40; producenter: Microsemi; Beskrivelse: IGBT 600V 121A 520W TO-247; På lager: 8057 pcs; Hent: APT68GA60B2D40.pdf; RFQ

: APT70GR120B2; producenter: Microsemi; Beskrivelse: IGBT 1200V 160A 961W TO247; På lager: 7008 pcs; Hent: APT70GR120B2.pdf; RFQ

: APT65GP60L2DQ2G; producenter: Microsemi; Beskrivelse: IGBT 600V 198A 833W TO264; På lager: 5746 pcs; Hent: APT65GP60L2DQ2G.pdf; RFQ

: APT65GP60J; producenter: Microsemi; Beskrivelse: IGBT 600V 130A 431W SOT227; På lager: 2226 pcs; Hent: APT65GP60J.pdf; RFQ

: APT70GR120JD60; producenter: Microsemi; Beskrivelse: IGBT 1200V 112A 543W SOT227; På lager: 2589 pcs; Hent: APT70GR120JD60.pdf; RFQ

: APT66M60B2; producenter: Microsemi; Beskrivelse: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX; På lager: 4371 pcs; Hent: APT66M60B2.pdf; RFQ

: APT66F60L; producenter: Microsemi; Beskrivelse: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264; På lager: 5084 pcs; Hent: APT66F60L.pdf; RFQ

: APT66M60L; producenter: Microsemi; Beskrivelse: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264; På lager: 5325 pcs; Hent: APT66M60L.pdf; RFQ

: APT70GR120J; producenter: Microsemi; Beskrivelse: IGBT 1200V 112A 543W SOT227; På lager: 5441 pcs; Hent: APT70GR120J.pdf; RFQ

: APT66F60B2; producenter: Microsemi; Beskrivelse: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247; På lager: 4395 pcs; Hent: APT66F60B2.pdf; RFQ

: APT68GA60LD40; producenter: Microsemi; Beskrivelse: IGBT 600V 121A 520W TO-264; På lager: 8224 pcs; Hent: APT68GA60LD40.pdf; RFQ

Industri Nyheder

Rohm tilføjer 10 SiC mosfets til biler: "Introduktionen af SCT3xxxxxHR serien giver Rohm mulighed for at tilbyde branchens største sort...

ON tilføjer til SiC MOSFETs: ON Semiconductor har introduceret to SiC MOSFET'er rettet mod EV, sol og UPS applikationer. NTHL080N...

APEC: TI synes sideløbende at lave ac-dc chip med 15mW stand-by: "Denne enhed opnår den bedste balance mellem høj effektivitet og ultra-lav støj, mens den krymper...

Sponsoreret indhold: SIGLENT SVA1015X Spectrum Analyzer: SIGLENT SVA1015X spektrumanalysatoren er et meget kraftfuldt og fleksibelt værktøj til forskellige...

Udgifter til halvfabrikataudstyr forventes at falde 14% i år og vokse 27% næste år: På grund af en afmatning i hukommelsessektoren markerer nedgangen i 2019 slutningen af en treå...

Power Stamp Alliance nedskæringer har brug for vært CPU til at overvåge PSU'er, og tilføjer et reference design: Alliancen (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex og STMicroelectronics) har skabt...

APEC: SiC power og forbedrede cloud-baserede elværktøjer: Søgefunktionerne er blevet forbedret, og der er en karrusel-stil menu, der gør det muligt at vælg...

Dengrove tilføjer rumbesparende DC / DC-omformere fra Recom: De er designet til applikationer, der kræver høj effektdensitet og høj effektivitet og har effekt...

Første militærkvalificerede armprocessor til hi-rel applikationer: LS1046A er en del af NXPs 64-bit Arm Layerscape portefølje, med en 1,8 GHz quad-core Arm Cortex-A72...

Vælg dit land eller din region.